Приставки для пластин кремния

Приставки предназначены для контроля параметров полупроводниковых пластин диаметром до 200 мм в режиме пропускания или отражения. Параметры пластин контролируются высокочувствительным бесконтактным методом в заданных оператором точках. Для измерений в режиме пропускания используется приставка ПП200, в режиме отражения – приставка зеркального отражения с углом падения луча 10º — ПО200.

Основные контролируемые параметры:

• концентрация междуузельного кислорода (толщина пластин 0,4–2,0 мм) в пределах (5×10¹⁵–2×10¹⁸)±5×10¹⁵ см^-3 (SEMI MF1188);
• концентрация углерода замещения (толщина пластин 0,4–2,0 мм) в пределах: (10¹⁶–5×10¹⁷)±10¹⁶ см^-3 (SEMI MF1391);
• радиальная неоднородность распределения кислорода в кремниевых пластинах (SEMI MF951);
• толщина эпитаксиальных слоев кремниевых структур типа n-n+ и p-p+ в пределах (0,5–10,0)±0,1 мкм, (10–200)±1% мкм (SEMI MF95);
• толщина эпитаксиальных слоев кремния в структурах КНС в пределах (0,1–10,0)±1% мкм;
• концентрация фосфора в слоях ФСС и бора/фосфора в слоях БФСС в пределах (1–10)±0,2 % вес.

В качестве держателей пластин в приставке используются съемные крепления-кольца, в которых пластины фиксируются с помощью дюралевых зажимов, не повреждающих пластину.

Измерения проводятся в ручном режиме. Часть приставки, на которой закреплена пластина, может двигаться относительно неподвижного основания, позволяя выбирать на образце точки для исследования. Пластину можно вращать вокруг оси и перемещать плоско-параллельно. Для контроля этого перемещения обе приставки снабжены шкалами, отградуированными соответственно в градусах и в мм.

Для получения и обработки данных используется специализированная программа SemiSpec.